Архив метки: SK Hynix

Цього року SK Hynix почне випуск 36 -шарової флеш-пам’яті 3D NAND


 
Компанія SK Hynix цього року поповнить вузьке коло виробників, серійно випускають флеш- пам’ять з об’ємною компонуванням ( 3D NAND ) , стверджує джерело з посиланням на слова керівництва компанії , сказані в ході недавньої прес- конференції за підсумками кварталу.
Ще наприкінці минулого року фахівцями південнокорейської компанії були завершені приготування до серійного випуску такої пам’яті і створені 24 -шарові зразки . Серійний випуск в SK Hynix намір почати з 36 -шарових чіпів, а в майбутньому році перейти до 48 -шаровим .
Очікується, що основний конкурент компанії, Samsung Electronics, розгорне серійний випуск 48 -шарової пам’яті 3D NAND ще цього року . Компанія Samsung першою почала серійний випуск флеш-пам’яті NAND з об’ємною компонуванням – у серпні 2013 було оголошено про випуск 24 -шарової пам’яті V- ​​NAND щільністю 128 Гбіт . У травні минулого року компанія Samsung почала серійний випуск перших 32 -шарових чіпів флеш-пам’яті 3D V – NAND і SSD, в яких вони використовуються .
Місяць тому свій варіант 48 -шарової флеш-пам’яті 3D NAND ( BiCS ) представили SanDisk і Toshiba. У гонці також беруть участь Intel і Micron .
Багатошарова компонування дозволяє підвищити щільність чіпів , розмістивши на тій же площі кристала більше число осередків.
Джерело: CDR Info
CDR Info

SK Hynix планує почати випуск 20- нанометровій пам’яті типу DRAM в цьому році


 
Південнокорейська компанія SK Hynix розраховує почати серійний випуск 20- нанометровій пам’яті типу DRAM в другому півріччі. Як стверджує джерело , про це сьогодні повідомив керівник компанії.
За його словами, що прозвучали після зустрічі з інвесторами, мова може йти про самому початку третього кварталу.
Перехід до 20- нанометровій технології дозволяє збільшити обсяги виробництва пам’яті. У разі 300- міліметрових пластин приріст при переході від використовуваної зараз 25 – нанометровій технології становить 30%. А якщо порівнювати з освоєної раніше 29- нанометровій технології , то і всі 50 %.
Компанія Samsung Electronics , яка є основним конкурентом SK Hynix на ринку DRAM , почала випуск цієї продукції по 20 – нанометровій технології на початку минулого року . Спочатку був освоєний випуск 20 – нанометровій пам’яті DRAM для персональних комп’ютерів, а пізніше – для мобільних пристроїв і серверів.
Джерело: CDR Info
CDR Info